摩得半导体广东2017

半导体芯片设计及应用方案供应商

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项目库介绍

摩得半导体的核心技术为硅基氮化镓（GaN on Si）设计架构，芯片设计采用的先进多平台设计架构，具有超低导通电阻，即使在高压环境下，仍能保持极高的工作效率，节能性与安全性能都有极大的提高。 自主研发的三款面对不同领域的氮化镓电源芯片产品，更是打破了国外第三代半导体在高击穿功率器件领域的关键技术垄断局面。

项目动态

工商备案

  • 深圳市摩得半导体有限公司
  • 许舜渊
  • 广东
  • 2017年
  • 深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）
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